在 365 nm 這一關(guān)鍵波段，日本 CCS 公司推出的 165-SHU 超高高壓汞燈光源正以“小體積、高亮度、低成本"的優(yōu)勢(shì)，成為 200 mm 以下晶圓、MEMS、功率器件及半導(dǎo)體晶圓電子封裝線的“性價(jià)比"曝光 本文結(jié)合產(chǎn)線案例，梳理其在半導(dǎo)體行業(yè)的三大應(yīng)用場(chǎng)景與技術(shù)亮點(diǎn)。
一、產(chǎn)品核心指標(biāo)
| 項(xiàng)目 | 規(guī)格 |
| ---- | --------------------------------------- |
| 燈管 | 165 W DC 超高壓水銀短弧燈（弧長 1 mm） |
| 輻射強(qiáng)度 | 3 800 mW/cm2（φ5 mm 石英導(dǎo)光、距 10 mm、365 nm） |
| 光譜主峰 | 365 nm（i-line），次峰 405 nm、436 nm |
| 壽命 | 2 000 h（衰減至 60 %） |
| 散熱 | 強(qiáng)制風(fēng)冷 + 熱斷路器雙重保護(hù) |
| 重量 | 5.5 kg，可桌面或 19'' 機(jī)架安裝 |
短弧 1 mm 的設(shè)計(jì)，使光學(xué)系統(tǒng)可將出光口聚焦到 <30 µm 光斑，為 2 µm 級(jí)線寬圖形提供了足夠的分辨率余量
二、半導(dǎo)體行業(yè)三大應(yīng)用
1. 光刻與圖形轉(zhuǎn)移
應(yīng)用場(chǎng)景：功率芯片的鋁布線、MEMS 懸臂結(jié)構(gòu)、LED 電極 Pad 等“非關(guān)鍵層"曝光。
方案優(yōu)勢(shì)：相比 DUV 掃描機(jī)臺(tái)，165-SHU 曝光單元成本 <1/20，且無需高純氮?dú)猸h(huán)境；配合近接式或 1× 投影掩模，可在 3–5 µm 線寬段實(shí)現(xiàn) >150 片/小時(shí)產(chǎn)能
。
產(chǎn)線案例：中國臺(tái)灣 6 英寸 SiC MOS 工廠采用 4 套 165-SHU + 石英光纖束，完成源極/漏極對(duì)準(zhǔn)曝光，CD 3 µm，產(chǎn)能提升 18 %，設(shè)備回收期 8 個(gè)月。
2. UV 固化與電子封裝
3. 缺陷檢測(cè)與工藝監(jiān)控
三、技術(shù)優(yōu)勢(shì)解讀
“小弧長"帶來高分辨率200 atm 超高壓下，弧長被壓縮至 1 mm，相當(dāng)于點(diǎn)光源；配合非球面聚光鏡，數(shù)值孔徑 NA 0.25 即可在掩模面獲得 30 µm 光斑，滿足 2 µm 線寬曝光需求
。
寬譜輸出，材料適配性高
315–420 nm 連續(xù)譜線，可兼容 g-line（436 nm）傳統(tǒng)膠與 i-line（365 nm）高分辨膠，為工藝升級(jí)提供“一燈多用"可能。
低成本、低風(fēng)險(xiǎn)
汞燈光學(xué)系統(tǒng)無需 CaF? 透鏡或高純氮?dú)猓麢C(jī)維護(hù)僅需更換燈模塊與濾光片，單年運(yùn)營成本 <1/10 同波段 DUV 激光器。
即開即用，產(chǎn)線節(jié)拍友好
電子穩(wěn)流電源預(yù)熱 90 s 可達(dá)光強(qiáng)穩(wěn)定，比金屬鹵素?zé)艨s短 50 %；內(nèi)置小時(shí)計(jì)數(shù)與電流監(jiān)控，方便預(yù)測(cè)性維護(hù)。
四、結(jié)語
當(dāng)節(jié)點(diǎn)不斷向 EUV 推進(jìn)時(shí)，90 % 以上的“非關(guān)鍵層"仍需經(jīng)濟(jì)型 i-line 曝光。日本 CCS 165-SHU 以 3 800 mW/cm2 的 365 nm 峰值輻射、1 mm 短弧、風(fēng)冷一體化設(shè)計(jì)，為 6 英寸及以下晶圓、MEMS、功率器件和MEMS封裝提供了兼具分辨率與成本的“光刻-固化-檢測(cè)"三合一解決方案，堪稱半導(dǎo)體后摩爾時(shí)代“性價(jià)比高的 i-line 光源"之一
更新時(shí)間：2026-01-23 
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